光刻技术从诞生以来，在半导体加工制造行业中，作为图形转移技术而广为应用。随着芯片集成度的不断提高、器件尺寸的不断缩小以及器件功能的不断提高，作为半导体加工技术中最为关键的光刻技术和光刻工艺设备，必将发生显著的变化。光刻工艺中通常所使用的光源是由水银蒸汽发射的紫外光，波长为366、405、 436nm。目前为了提高曝光分辨率，降低所使用的曝光光源也是光刻技术和设备发展的一个趋势。光刻机的主要构成包括曝光光源、光学系统、电系统、机械系统和控制系统组成，其中光学系统是光刻机的核心。光刻机的曝光方式一般根据掩模版和晶圆的距离大致分为三种方式：接触式、接近式和投影式。

1推动光刻技术和设备发展的动力

经济利益是Si片直径由200mm向300mm转移的主要因素。300mm的Si片出片率是200mm的2 5倍。300mm工厂的投资为15~30亿美元，其中约75%的资金用于设备投资，因此用户要求设备能向下延伸3~4代。300mm片径是从180nm技术节点切入的，这就要求设备在150、130nm，甚至100nm仍可使用。

为了推进300mm Si片的大生产，设备厂商在几年前就着手解决这方面的问题。Canon于 1995年着手300mm曝光机,推出了EX3L和I5L步进机，于1997~1998年提供日本半导体超前边缘技术(SELETE)集团使用，ASML公司的300mm步进扫描曝光机使用193nm波长，型号为FPA-500，也于1999年提供给SELETE集团使用。现在Canon的第三代300mm曝光机的混合匹配曝光能力已经达到(<110nm)。目前300mm片径生产180、150、130nm的IC设备都已经进入生产线，100nm的设备也已经开始提供。